据新战略低速无人驾驶产业研究所了解，太卷园区物流无人驾驶的应用场景主要是在工业园、物流园、保税区、制造工厂等。
最近，躺什生孩俄罗斯和印度新增了2个碳化硅项目，其中俄罗斯的碳化硅模块项目是由中国最大的制造商之一投资建设的，详情请往下看。俄罗斯RusKlimat贸易和生产控股集团新闻处发布消息称，日本中国最大的制造商之一计划投资25亿卢布（约2亿人民币），日本在俄罗斯弗拉基米尔州启动第三代功率半导体的批量生产。
印度RIR：东京投资超4.3亿建设碳化硅项目10月31日，东京据印度媒体报道，印度的奥里萨邦审核通过了12个投资项目，总投资279.447亿印度卢比（约23.8亿元人民币），其中包括一个碳化硅项目。目前，街访塔斯社没有透露投资企业名称，预计将在12月7-8日举行的弗拉基米尔投资大会上公布更多投资信息。据判断，不想该项目生产是出口导向型的功率模块，产品将供应给俄罗斯和其他国家的市场。
该项目将新建多个生产设施，太卷以生产基于碳化硅的功率模块，未来还将生产GaN器件和模块。该工厂第一阶段将生产碳化硅外延片，躺什生孩第二阶段将建封装线，第三阶段将制造碳化硅器件。
根据公告，日本这次签约的半导体项目中，日本RIRPowerElectronicsLtd承诺投资51.08亿印度卢比（约4.353亿元人民币），将建立碳化硅器件和模块的制造和封装设施，将新增206个就业机会。
中国大企业投资2亿元在俄罗斯建碳化硅模块项目据塔斯社11月23日报道，东京俄罗斯将新增一个碳化硅项目，项目投资方是中国企业。国内厂商近年来通过积极投入研发成功在国内新能源汽车用IGBT模块市场中占取到了一定份额，街访但仍有很大的替代空间。
不想A00级汽车单车IGBT价值量约为600~900元。斯达半导2021年上半年应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，太卷合计配套超过20万辆新能源汽车，太卷同时基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的新一代车规级650V/750VIGBT芯片研发成功，预计今年开始批量供货。
IGBT：躺什生孩决定电动车核心性能，躺什生孩乘新能源汽车之风扬帆起航汽车电动化、网联化、智能化发展趋势中带动汽车半导体需求大幅度增长，IGBT应用于新能源的电压转换，例如：汽车动力系统、光伏逆变器等，IGBT功率模块均是逆变器的核心功率器件，在电动车动力系统半导体价值量中占比52%。而直流桩则叫快充桩，日本与交流电网连接，输出可调直流电，直接为电动汽车的动力电池充电，且充电速度较快。